掺杂区、阱区形成方法和基底图形化方法

摘要

一种掺杂区形成方法，包括：在基底上形成栅极；在具有所述栅极的基底上形成图形化的抗蚀剂层；以所述抗蚀剂层为掩模，对具有所述栅极的基底执行离子注入操作；利用缓冲气体去除所述抗蚀剂层，形成掺杂区。本发明还提供了一种阱区形成方法和一种基底图形化方法。可减小完成清洗操作后在所述掺杂区、阱区或基底表面产生凹陷的深度。