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温度对势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构的影响

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摘要

采用有效质量近似下的包络函数方法，对在不同温度下的势垒区δ掺杂量子阱Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的势位及电子密度分布进行了自洽计算．详细地研究了温度对势位及电子密度分布的影响．

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来源
《半导体学报》 |1996年第8期|561-566|共6页
作者
徐至中;
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作者单位

复旦大学物理系;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.24;
关键词
势垒区; δ掺杂; GeSi; Si; 电子能带结构; 温度;

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