磁敏达林顿晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种磁敏达林顿晶体管及其制造方法。其包括半导体基板，半导体基板包括衬底与外延层；第一导电类型外延层上部设有第一区域与第二区域；第一导电类型外延层上淀积有第一介质层；第一区域与第二区域内上方分别设有第一接触孔与第二接触孔；第一接触孔与第二接触孔内均淀积有互连金属层；互连金属层上淀积有第二介质层；第一区域内的第一导电类型发射区通过互连金属层与第二区域内的第二导电类型基区连接成等电位；第一区域上方设有第一连接孔；第二区域上方设有第二连接孔；第二连接孔内淀积有磁性层；所述磁性层通过互连金属层与第二区域内的第一导电类型发射区连接。本发明灵敏度高，工艺操作简单，使用方便，安全可靠。