平板成像检测器中用于静电放电保护的方法及工艺中间物

摘要

以在光电二极管阵列中所沉积迹线(10，12)的一部分的形式提供短接棒(18)来进行静电放电保护。在蚀刻金属层的正常处理期间，移除所述短接棒而不需要额外的处理要求。通过采用具有与阵列迹线相接触的迹线(54)的FET硅层(40，42，44)来提供额外的短接元件，以提供扩展的ESD保护，直至在用于开制通路以用于光电二极管底部触点的正常处理期间移除这些短接元件为止。