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探测与监控薄膜外延生长和热退火的光反射差法及装置

摘要

本发明涉及一种光学与监控装置。该装置由激光器、调制器、平面镜组、光电探测器、放大器和数据采集处理系统等组成,其特征在于:激光器(1)输出偏振光前方安置一调制器,经过调制的偏振光通过安置在光路上的1块以上平面平行光学介质片后,入射到被测基片表面,经膜表面反射后到光探测器,探测信号经放大器放大,输入到数据采集系统。该装置独立于制膜系统,置于制膜室外,具有应用面广、使用简便等特点,是用于探索和监控层状外延生长高质量外延薄膜材料与材料热处理的有力工具。

著录项

  • 公开/公告号CN1085835C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2002-05-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN97121997.4

  • 发明设计人 朱湘东;吕惠宾;杨国桢;

    申请日1997-12-24

  • 分类号G01N21/21;G01J4/00;G01B11/30;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100080 北京市603信箱谷冬梅收转

  • 入库时间 2022-08-23 08:55:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-02-21

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2002-05-29

    授权

    授权

  • 1999-01-20

    公开

    公开

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