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光掩模制造方法、器件制造方法及光掩模监测方法

摘要

本发明公开光掩模制造方法、器件制造方法及光掩模监测方法。其中在衬底(1)上形成两层或更多层金属层(2,3),并在这两层或更多层金属层(2,3)中除了最下方金属层(2)之外的一层或多层金属层上形成主图案(5)和监测图案(6)。然后,测量监测图案(6),并在测量后去除监测图案(6)。之后,在最下方金属层(2)上形成主图案(5)以制成由两层或更多层金属层(2,3)形成的光掩模。

著录项

  • 公开/公告号CN1983025B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN200610073621.8

  • 发明设计人 细野浩司;佐藤由博;

    申请日2006-04-13

  • 分类号

  • 代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;

  • 代理人王玉双

  • 地址 日本神奈川县横浜市

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-06-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 1/14 授权公告日:20110727 终止日期:20130413 申请日:20060413

    专利权的终止

  • 2011-07-27

    授权

    授权

  • 2008-12-03

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20081107 申请日:20060413

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

  • 2007-08-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-06-20

    公开

    公开

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