法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-30
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 33/02 授权公告日:20110706 终止日期:20150214 申请日:20060214
专利权的终止
2011-07-06
授权
授权
2006-10-18
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-08-23
公开
公开
机译: 用于形成LED的引线框架膜的组合物,用于LED的引线框架涂膜的形成方法,用于保护引线框架的方法,用于LED的引线框架,LED封装及其制造方法,LED及其制造方法
机译: 光学半导体器件引线框架的基体,光学半导体器件引线框架的基体的制造方法,使用光学导体的半导体器件,光学导体器件的引线框架,光学半导体器件引线框架,光学半导体器件引线框架,光学半导体器件引线框架
机译: 电流传感器具有两个引线框架,每个引线框架都具有磁场传感器芯片,该磁场传感器芯片彼此相对地连接到该框架