具有不同侧壁层宽度的CMOS器件及其制造方法

摘要

公开了一种具有不同侧壁层宽度的CMOS的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构；在具有所述第一栅极结构和第二栅极结构的衬底表面淀积第一介质层；刻蚀所述第一介质层，以在所述第一栅极结构和第二栅极结构两侧形成侧壁层；沉积第二介质层；所述第二介质层覆盖所述第一栅极结构和第二栅极结构以及侧壁层；利用掩膜层选择性地去除覆盖所述第二栅极结构两侧侧壁层的第二介质层；移除所述掩膜层；执行杂质离子注入工艺以形成源极和漏极的轻掺杂区。本发明的CMOS器件在PMOS晶体管栅极两侧形成的侧壁层厚度大于在NMOS晶体管栅极两侧形成的侧壁层厚度，能够改善CMOS器件电学性能一致性。