用于将间距倍增大于2的因数的单个间隔物工艺及相关中间IC结构

摘要

本发明提供用于将间距倍增大于2的因数的单个间隔物工艺。在一个实施例中，在衬底上方形成n(其中n≥2)层堆叠心轴(150b)、(140a)，所述n层中的每一者包含彼此大致平行的多个心轴(150b)、(140a)。层n处的心轴(150b)在层n-1处的心轴(140a)上方且平行于心轴(140a)，且层n处的邻接心轴之间的距离大于层n-1处的邻接心轴之间的距离。同时在心轴(150b)、(140a)的侧壁上形成间隔物(185)。蚀刻掉心轴(150b)、(140a)的暴露部分且将由间隔物(185)界定的线图案转移到衬底(110)。