用于清除刻蚀后残留聚合物的干-湿法联合工艺:在意法半导体(STMICROELECTRONICS)的经验

摘要

对于微电子工业来说在干法等离子体刻蚀步骤完成之后同样使用干法工艺清除残留聚合物是一个新兴的又倍具挑战性的应用。有几个原因促使工业上对这个应用的需求,这包括降低制造成本、湿法工艺与新材料的不兼容性及其对环境的影响。而将干法和湿法处理组合起来使用往往可以提高器件的成品率和对残留聚合物清除工艺的有效性。本文举例说明了干-湿法联合工艺与意法半导体(STMicroelectronics)R8厂(法国)和 L1厂(意大利)的全湿法工艺相比在金属刻蚀后清除残留聚合物时所带来的好处。一个独特的适用于150mm 和200mm 硅片的应用O_2/CHF_3高产能工艺被用来做干法残留聚合物清除处理。干法处理后通过用量已显著减少的湿法化学处理(与全湿法工艺相比可以减少使用>75%的羟胺)来加强清除效果。作为干-湿法联合工艺处理的结果,成品率的提高和稳定性、后腐蚀风险和成本的减少在本文中将加以讨论。同样本文也突出了与 CF_4相比使用CHF_3(用于清除残留聚合物)对环境影响所带来的好处。