制造微加工电容式超声传感器的表面微机械工艺

摘要

本发明涉及制造工艺和相关的微加工电容式超声传感器，它采用在至少一个面较佳的是两个面上已由用低压化学气相沉积技术或称LPCVD沉积法沉积的氮化硅的上层9和下层9’覆盖的商用的硅晶片8。覆盖晶片8的两个最优质的氮化硅层9或9’中的一层用作传感器的发射膜。结果，在氮化硅的两层中的一层上生长形成CMUT传感器的微单元阵列6，即，以相对于经典的技术相反的步骤顺序在传感器的背部生长微单元阵列6。