首页> 中国专利> 一种带栅极的纳米线冷阴极电子源阵列的结构及其制作

一种带栅极的纳米线冷阴极电子源阵列的结构及其制作

摘要

本发明公开了一种带栅极的纳米线冷阴极电子源阵列的结构及其制作方法和在平板显示的应用。该电子源阵列结构包括衬底,制作在衬底之上的相互交叉排列的阴极电极条和栅极电极条,阴极和栅极之间的绝缘层,以及制作在阴极电极条上的纳米线冷阴极阵列。该电子源阵列结构的制作采用薄膜微加工工艺和自组装生长工艺结合的方法。在该方法中,纳米线冷阴极采用直接氧化法制作,无需催化剂。另外,通过在阴极上制作覆盖层,保护生长纳米线所需要的源材料和限制纳米线在靠近栅极的区域生长。本发明提供的采用纳米线为冷阴极的电子源阵列结构,其制作方法工艺简单、可控性高,可应用于场发射平板显示器件。

著录项

  • 公开/公告号CN101494144B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山大学;

    申请/专利号CN200910004551.4

  • 申请日2009-03-04

  • 分类号

  • 代理机构广州新诺专利商标事务所有限公司;

  • 代理人华辉

  • 地址 510275 广东省广州市新港西路135号

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-05-25

    授权

    授权

  • 2009-09-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-07-29

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号