退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN101494144B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 中山大学;
申请/专利号CN200910004551.4
发明设计人 许宁生;陈军;詹润泽;麦强;邓少芝;佘峻聪;
申请日2009-03-04
分类号
代理机构广州新诺专利商标事务所有限公司;
代理人华辉
地址 510275 广东省广州市新港西路135号
入库时间 2022-08-23 09:07:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-05-25
授权
2009-09-23
实质审查的生效
2009-07-29
公开
机译: 形成具有纳米线栅极结构的3D半导体器件的方法,其中在源极/漏极形成之后形成纳米线栅极结构
机译: 形成具有纳米线栅极结构的3-D半导体器件的方法,其中在源极/漏极形成之前形成纳米线栅极结构
机译: 在栅极结构和源极/漏极结构之间具有两个垫片的纳米线晶体管
机译:采用液面自组织的方法在洁净的玻璃片表面铺设单层六方密排的聚苯乙烯胶体球阵列,通过改变等离子 刻蚀的时间实现对胶体小球的直径控制,结合离子溅射Au膜和磁控溅射MoO2膜,最终构筑成为一种新颖的MoO2/Au微纳阵列结构,利用扫描电镜对所合成材料进行形貌表征;同时重点利用接触角测量仪对 微纳阵列薄膜的浸润性进行研究,分析水在微纳阵列表面所形成的接触角的角度变化,结果显示沉积 MoO2/Au微纳阵列比相应的Au微纳阵列更加亲水,有利于材料在水溶液中进行电化学反应。
机译:通过施加栅极电压将一种石墨烯吸附原子的电子结构转换为另一种石墨烯吸附原子的电子结构的可能性:第一性原理计算
机译:使用Force Bonno结构电子源的冷阴极X射线源的荧光X射线分析
机译:CUO纳米线发射器的大面积双栅结构真空电子源阵列的制备技术的研制
机译:纳米线阵列的结构,组成和电子性能的制造和评估。
机译:共面栅极ZnO纳米线场发射极阵列使用环形阴极具有增强的栅极控制性能
机译:金属绝缘金属结构的电子特性研究冷阴极制作
机译:以核酸分子为模板的导电纳米线作为纳米电子电路互连的图案化和制作