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一种自对准栅极结构纳米线冷阴极电子源阵列的制作方法及其结构

摘要

本发明公开了一种自对准栅极结构纳米线冷阴极电子源阵列的制作方法,通过一次光刻定位栅极槽和纳米冷阴极的生长区域,实现纳米线冷阴极与栅极电极和阴栅极之间的绝缘层的对准,并自动形成可以防止阴极和栅极之间短路和电学击穿的绝缘层台阶。本方法可以降低工艺难度,提高器件的制作成品率,并提高栅极结构纳米线冷阴极电子源的工作特性。

著录项

  • 公开/公告号CN104091743B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-10-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山大学;

    申请/专利号CN201410317743.1

  • 发明设计人 陈军;赵龙;邓少芝;许宁生;

    申请日2014-07-03

  • 分类号

  • 代理机构广州新诺专利商标事务所有限公司;

  • 代理人华辉

  • 地址 510275 广东省广州市新港西路135号

  • 入库时间 2022-08-23 09:48:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-10-26

    授权

    授权

  • 2014-10-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 9/02 申请日:20140703

    实质审查的生效

  • 2014-10-08

    公开

    公开

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