法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-10-26
授权
授权
2014-10-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 9/02 申请日:20140703
实质审查的生效
2014-10-08
公开
公开
机译: 形成具有纳米线栅极结构的3D半导体器件的方法,其中在源极/漏极形成之后形成纳米线栅极结构
机译: 形成具有纳米线栅极结构的3-D半导体器件的方法,其中在源极/漏极形成之前形成纳米线栅极结构
机译: 一种新型结构,可制造具有自对准源极和自对准浮置栅极以控制栅极的分离栅