垂直电流受控绝缘体上硅(SOI)器件及其形成方法

摘要

本发明公开了一种绝缘体上硅(SOI)集成电路(IC)芯片，其具有诸如垂直可控硅整流器(SCR)、垂直双极晶体管、垂直电容器、电阻器和/或垂直夹止电阻器等的器件，以及制造所述器件的方法。这些器件形成在籽晶孔中，该籽晶孔穿过SOI表面层和绝缘体层而到达衬底。穿过籽晶孔在衬底中形成掩埋扩散区(例如，N型)。掺杂的外延层被形成在该掩埋扩散区上并包括多个掺杂层，例如，P型层和N型层。多晶硅(例如，P型)被形成在该掺杂的外延层上。在接触衬里中形成到该掩埋扩散区的接触。