用于表征光刻技术对晶片的影响的系统和方法

摘要

在制造半导体的过程中，通常需要表征线宽和线宽形状对成品率的影响。在一个实例实施例中，存在一种用于横跨衬底随机化曝光条件的方法(200)。该方法包括产生一随机数列表(210)。将随机数映射给曝光域(220)，形成随机数和相应曝光域的列表。根据随机数对该随机数和相应曝光域的列表分类(230)。为根据随机数分类的列表内的每个曝光域分配曝光剂量(240)。根据曝光域对列表分类(250)。