栅极、半导体器件及栅极、掺杂区、含氮侧墙基层形成方法

摘要

一种栅极形成方法，包括：在基底上形成多晶硅层；图形化所述多晶硅层；执行氮化操作，在具有图形化的多晶硅层的基底表面形成氮化硅层。本发明还提供了一种掺杂区形成方法，以及，一种含氮侧墙基层形成方法，均可减少后续形成掺杂区时的掺杂损失。本发明还提供了一种栅极，在后续形成掺杂区后，可具有较少的掺杂损失。本发明还提供了一种半导体器件，在形成掺杂区后，可具有较少的掺杂损失。