机译:金属氧化物半导体器件的HfO_xN_y栅极电介质中由于大量氮引起的电流传导和电荷俘获特性
Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan, Republic of China;
机译:HfO_xN_y栅介电氮浓度对金属氧化物半导体器件电荷俘获性能的影响
机译:具有La_xTa_y双掺杂HfON电介质的金属氧化物半导体电容器的电荷俘获和电流传导机理
机译:Si(111)表面剥蚀区对金属氧化物半导体器件中HfO_(x)N_(y)栅极电介质的电流传导和电荷陷阱的影响
机译:通过掺入氮来减少高度可靠的4H-SiC MIS器件中AI_2O_3 / SiO_2堆叠栅极电介质中的电荷俘获位点
机译:MOS器件中其他高κ电介质的电荷俘获特性。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:界面氮对金属氧化物半导体晶体管中栅极氧化物/漏极延伸界面边缘电荷俘获的影响