具有室去氟化和晶片去氟化中间步骤的等离子体蚀刻和光刻胶剥离工艺

摘要

本发明公开了一种等离子体蚀刻工艺，包括通过工件上的光刻胶掩膜进行的等离子体蚀刻步骤，所述蚀刻步骤使用在等离子体聚合物质中生成的聚合蚀刻处理气体，所述等离子体聚合物质在蚀刻步骤中在所述光刻胶掩膜的表面上聚积成保护性聚合物层，所述工艺包括在蚀刻步骤之后且在去除光刻胶掩膜之前在相同的室中进行的以下步骤：(a)从包括所述室的室顶的室表面去除包括聚合物材料的残余物，这如下实现：将RF等离子体源功率耦合到所述室中，同时实质上不将RF等离子体偏置功率耦合到所述室中，并将含氢气体引入所述室中，直到所述残余物被从所述室表面去除；(b)从所述光刻胶掩膜的表面去除所述保护性聚合物层，这如下实现：将RF等离子体偏置功率耦合到所述室中，同时实质上不将RF等离子体源功率耦合到所述室中，并将包含氧和一氧化碳的处理气体引入所述室中，直到所述聚合物层被从所述光刻胶的表面去除。