公开/公告号CN1934683A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-03-21
原文格式PDF
申请/专利权人 自适应等离子体技术公司;
申请/专利号CN200580008980.9
发明设计人 金南宪;
申请日2005-03-24
分类号H01L21/3065;
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人杨生平
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-12-17 18:25:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-07-15
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-16
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-03-21
公开
公开
机译: 具有等离子体源线圈的等离子体室以及使用该等离子体室蚀刻晶片的方法
机译: 具有等离子体源线圈的等离子体室以及使用该等离子体室来蚀刻晶片的方法
机译: 具有等离子体源线圈的等离子体室以及使用该等离子体室的晶片蚀刻方法