一种垂直双扩散MOS晶体管测试结构

摘要

一种垂直双扩散MOS晶体管测试结构，属于半导体技术领域，包括半导体衬底、外延层、第一、第二源掺杂区、沟道区、夹层电介质层，覆盖在半导体衬底上表面用于引出两源电极和栅极的金属层以及覆盖半导体衬底底面的背金属层。其中，位于源掺杂区下方的沟道区相互隔开，形成双沟道，位于外延层表面的源电极相互断开，分别用作测试用源电极和测试用漏电极。通过测试用源电极与测试用漏电极作为输出电极进行测试，有效实现对垂直双扩散MOS晶体管实际参数的监控，并克服研磨后表征的困难，统一测试程序，从而进一步降低维护、开发成本，提高产品测试、反馈的效率。