公开/公告号CN102364682B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-02-03
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201110335252.6
发明设计人 王磊;
申请日2011-10-28
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人骆苏华
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:34:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-02-03
授权
授权
2014-04-30
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L23/544 变更前: 变更后: 登记生效日:20140408 申请日:20111028
专利申请权、专利权的转移
2013-12-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/544 申请日:20111028
实质审查的生效
2012-02-29
公开
公开
机译: 沟槽-垂直双扩散MOS晶体管的结构及其形成方法
机译: 沟槽-垂直双扩散MOS晶体管的结构及其形成方法
机译: 沟槽-垂直双扩散MOS晶体管的结构及其形成方法