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一种在p型硅上实现ZnO薄膜纯紫外电致发光的器件结构

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摘要

本发明公开了一种在p型硅上实现ZnO薄膜纯紫外电致发光的器件结构，在p型硅衬底的正面自下而上依次生长有第一SiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-12-03

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H05B 33/00 授权公告日:20110316 终止日期:20131012 申请日:20091012

专利权的终止
2011-03-16

授权

授权
2010-05-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H05B 33/00 申请日:20091012

实质审查的生效
2010-04-07

公开

公开

1. 一种在p型硅上实现ZnO薄膜纯紫外电致发光的器件结构 [P] . 中国专利： CN101692751B . 2011.03.16
2. 制备氧化锌/p型硅异质结紫外电致发光器件的方法 [P] . 中国专利： CN100533784C . 2009.08.26
3. Method and semiconductor structure for implementing reach through buried interconnect for silicon-on insulator (SOI) devices [P] . 美国专利： US2003094653A1 . 2003-05-22

机译：用于实现绝缘体上硅（SOI）器件的掩埋互连的实现方法和半导体结构
4. A process for manufacturing a semiconductor device with a multilayer wsi - film having a structure with a small particle size and a semiconductor device with a polysilicon layer formed thereon with a multilayer wsi - film [P] . 德国专利： DE10145960B4 . 2007-02-15

机译：一种用于制造具有具有小粒径结构的多层硅薄膜的半导体器件的方法以及具有其上形成有多层硅薄膜的多晶硅层的半导体器件的方法
5. Method for forming e.g. semiconductor devices, involves realizing electric path continuously extending through metallization layers and silicon on insulator substrate between treated semiconductor structures [P] . 法国专利： FR2973943A1 . 2012-10-12

机译：形成方法例如半导体器件，涉及实现经过处理的半导体结构之间的绝缘体衬底上的金属层和硅中连续延伸的电气路径