制备氧化锌/p型硅异质结紫外电致发光器件的方法

摘要

本发明公开了制备氧化锌/p型硅异质结紫外电致发光器件的方法，步骤如下：1)将电阻率为0.005-0.02欧姆.厘米的P型重掺杂硅片清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽至1～5×10^-3Pa，以Zn为靶材，以O₂和Ar作为溅射气氛，在5～20Pa压强下，衬底温度为300℃～500℃，进行溅射生长，得到ZnO薄膜；2)在ZnO薄膜上溅射半透明电极，在P型硅衬底背面溅射欧姆接触电极。本发明方法简单，不需要采用复杂的分子束外延(MBE)和金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等手段。且所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容。