法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-07-25
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/48 授权公告日:20110112 终止日期:20110606 申请日:20070606
专利权的终止
2011-01-12
授权
授权
2009-05-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-12-12
公开
公开
机译: 封装基板的制造加工方法,连接基板制造工序,连接基板,多层配线基板的制造方法,多层配线基板及半导体的制造方法以及使用该处理方法的半导体封装用基板及半导体封装薄板状物品的制造方法和半导体封装
机译: 配线基板基材和多层配线基板基材的制造方法
机译: 电路基板,多层配线板,电路基板的制造方法以及多层配线板的制造方法