首页> 中国专利> 低漏电低时钟信号摆幅条件预充CMOS触发器

低漏电低时钟信号摆幅条件预充CMOS触发器

摘要

本发明属于CMOS触发器技术领域,其特征在于:第一级锁存器采用由输入数据控制的改进的条件预充控制电路,减小了触发器自身的动态功耗和泄漏电流功耗;第一级锁存器的两个输出节点分别连接到两个独立的并具有相同电路参数的单时钟锁存器上,保证了触发器互补输出端的上升和下降的延时对称;把时钟信号接在控制充电电路的NMOS管上,减少了充电通路的寄生电容,提高了电路的速度;同时,在第一级锁存器中,减去了提供衬底偏置的额外的高电压电源线,简化了结构。

著录项

  • 公开/公告号CN1758537B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-12-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;潮州市创佳电子有限公司;

    申请/专利号CN200510086916.4

  • 发明设计人 杨华中;乔飞;汪蕙;

    申请日2005-11-18

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100084 北京市北京100084-82信箱

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03K 3/012 授权公告日:20101208 终止日期:20151118 申请日:20051118

    专利权的终止

  • 2010-12-08

    授权

    授权

  • 2006-06-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-04-12

    公开

    公开

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