无电敷镀用于基于硫族化物的存储器件的金属帽

摘要

提供一种在基于硫族化物的存储器件中的导电互连上形成金属帽的方法，包括：在基片(10)上形成第一导电材料层(21)，在该第一导电材料和该基片上沉积绝缘层(20)，在该绝缘层中形成开口(22)以便暴露该第一导电材料的至少一部分，在该绝缘层上以及该开口内沉积第二导电材料(30)，去掉该第二导电材料的一些部分以在该开口内形成导电区，在该开口内使该导电区凹入到低于该绝缘层的上表面的水平，在该开口内的凹入导电区上形成第三导电材料的帽(40)，该第三导电材料是从由钴、银、金、铜、镍、钯、铂以及它们的合金组成的组中选择的，在该帽上沉积基于硫族化物的存储单元材料堆(50)，以及在该硫族化物堆上沉积导电材料(60)。