在含铜金属化层上形成电介质的工艺和电容器装置

摘要

本发明说明尤其允许直接将电介质层施加到含铜金属化上的措施。因此，两种工艺气体(26，28)以每单位衬底表面不同的等离子体功率来激发，或者一种工艺气体(26)利用等离子体来激发，而另一工艺气体(28)不被激发。