首页> 中国专利> 改善单室沉积本征微晶硅薄膜质量的方法

改善单室沉积本征微晶硅薄膜质量的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了一种改善单室沉积本征微晶硅薄膜质量的方法，其是将玻璃衬底放在真空室内；采用等离子增强化学气相沉积或者热丝技术在衬底上沉积P层微晶硅薄膜；采用和沉积P层微晶硅薄膜相同的沉积方法沉积I层本征微晶硅薄膜，根据P层微晶硅薄膜沉积后对的腔室环境，对随后生长的I层本征微晶硅薄膜进行硼补偿，达到对随后生长的I层本征微晶硅薄膜中硼浓度的有效控制，并控制I层本征微晶硅薄膜内硼的浓度在10

著录项

公开/公告号CN101159296B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-09-08

原文格式PDF
申请/专利权人南开大学;
展开▼

申请/专利号CN200710150230.6
发明设计人张晓丹;赵颖;熊绍珍;耿新华;
展开▼

申请日2007-11-19
分类号
代理机构天津佳盟知识产权代理有限公司;
代理人廖晓荣
地址 300071 天津市南开区卫津路94号
入库时间 2022-08-23 09:05:19

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-01-05

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 授权公告日:20100908 终止日期:20161119 申请日:20071119

专利权的终止
2010-09-08

授权

授权
2010-09-08

授权

授权
2008-06-04

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-06-04

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-04-09

公开

公开
2008-04-09

公开

公开

查看全部

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 改善单室沉积本征微晶硅薄膜质量的方法 [P] . 中国专利： CN101159296B . 2010.09.08
2. 一种改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法 [P] . 中国专利： CN101697364B . 2012.03.21
3. PLASMA PROCESSING APPARATUS FOR FILM DEPOSITION AND DEPOSITION METHOD OF MICRO CRYSTALLINE SILICON LAYER USING THE SAME [P] . 韩国专利： KR20090016232A . 2009-02-13

机译：用于薄膜沉积的等离子体处理装置以及使用该方法的微晶硅层沉积方法
4. METHOD FOR CONTROLLING THE CRYSTALLINITY OF MICRO-CRYSTAL SILICON THIN FILM DEPOSITED BY ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA CVD APPARATUS [P] . 韩国专利： KR101181411B1 . 2012-09-19

机译：控制常压等离子体CVD装置沉积的微晶硅薄膜的结晶度的方法
5. METHOD FOR DEPOSITING MICROCRYSTAL SILICON THIN FILM [P] . 日本专利： JP2002030438A . 2002-01-31

机译：沉积微晶硅薄膜的方法