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生产硅的方法、从熔融的盐中分离硅的方法和生产四氟化硅的方法

摘要

本发明涉及生产半导体硅的工艺,它包括电解分解四氟化硅饱和的碱金属氟化物盐三元系统的低共熔体。为了饱和熔体,使用通过氟化二氧化硅而得到的四氟化硅,其中所述的氟化分两个阶段进行,即在其中的第1阶段,供给过量的元素氟,在第2阶段供给二氧化硅。通过借助于无水氟化氢溶解含有硅微粒的熔体、随后经过滤分离出呈硅粉末形式的固相来实现硅粉末与氟化物盐低共熔体的分离。

著录项

  • 公开/公告号CN101090862B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ZePoly科技合作有限公司;

    申请/专利号CN200580027190.5

  • 申请日2005-08-01

  • 分类号C01B33/02(20060101);C01B33/08(20060101);C01B7/20(20060101);C25B1/24(20060101);C25B1/00(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人苗征;于辉

  • 地址 新加坡新加坡市

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-09-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/02 授权公告日:20100811 终止日期:20120801 申请日:20050801

    专利权的终止

  • 2010-08-11

    授权

    授权

  • 2009-11-18

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20091016 申请日:20050801

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

  • 2008-02-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-12-19

    公开

    公开

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