法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-08-22
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 授权公告日:20100811 终止日期:20110619 申请日:20080619
专利权的终止
2010-08-11
授权
授权
2009-02-25
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-12-31
公开
公开
机译: 形成自组装纳米结构的方法和形成多孔介电层的方法(形成自组装纳米结构的方法,然后形成多孔介电体)
机译: 用于数据存储设备的具有图案化纳米结构的铁电介质的形成方法
机译: 处理镶嵌结构中的多孔低k电介质材料以在多孔低k电介质材料的蚀刻过孔和沟槽表面上形成无孔电介质扩散阻挡层的方法