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将自组装纳米结构图案化及形成多孔电介质的方法

摘要

公开了将自组装纳米结构图案化和形成多孔电介质的方法。一方面,该方法包括在下层上提供硬掩模;用光刻胶在该硬掩模上预限定待在图案化过程中进行保护的区域;在该硬掩模及该光刻胶上形成共聚物层;由该共聚物形成自组装纳米结构;以及蚀刻以将该自组装纳米结构图案化。

著录项

  • 公开/公告号CN101335190B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN200810128529.6

  • 发明设计人 陈光荣;李伟健;杨海宁;

    申请日2008-06-19

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人宋莉

  • 地址 美国纽约阿芒克

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-08-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 授权公告日:20100811 终止日期:20110619 申请日:20080619

    专利权的终止

  • 2010-08-11

    授权

    授权

  • 2009-02-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-12-31

    公开

    公开

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