文摘
英文文摘
声明
第一章绪论
§1.1金属膜微加工
§1.1.1纳米切片技术(nanoskiving)
§1.1.2琼脂糖凝胶湿印章的反应-扩散(Reaction-Diffusion)技术
§1.2纳米材料可控自组装
§1.2.1直接自组装法
§1.2.2选择性生长组装法
§1.3本论文的研究目的、设想和内容
参考文献
第二章实验
§2.1实验试剂和材料
§2.1.1实验所用化学试剂
§2.1.2基底材料
§2.2实验步骤
§2.2.1图案化琼脂糖凝胶模板的制备
§2.2.2 n-Si(111):H表面电化学沉积铜微结构
§2.2.3在图案化的Au/ITO基底合成ZnO纳米棒阵列
§2.2.4图案化金纳米粒子自组装
§2.3仪器和实验方法
§2.3.1电化学实验
§2.3.2表征方法
参考文献
第三章n-Si(111)表面铜微结构的制备
§3.1前言
§3.2不同镀液体系下的电化学沉积行为讨论及合适体系、电位的选择
§3.2.1不同镀液体系下的电化学沉积行为讨论
§3.2.2合适体系中电位的选择
§3.3 E-WETS沉积铜微结构的分辨率及影响因素
§3.4沉积的铜膜微结构的厚度与沉积时间的关系及理论讨论
§3.5影响沉积铜微结构完整性的因素
§3.6本章小结
附录
参考文献
第四章 溶液相法合成图案化ZnO纳米棒阵列
§4.1前言
§4.2图案化的Au/ITO基底的电化学加工
§4.3 ZnO纳米棒在图案化的Au/ITO基底的选择性生长
§4.4 ZnO纳米棒在图案化的Au/ITO基底选择性生长原因
§4.4.1表面自由能
§4.4.2基底形貌及粗糙度
§4.4.3化学活性
§4.5 ZnO纳米棒浓度调节的选择性生长及理论模型
§4.5.1浓度调节的选择性生长
§4.5.2浓度调节的选择性生长的理论模型
§4.6电化学辅助的ZnO纳米棒选择性生长
§4.7基底材料组成对ZnO纳米棒选择性生长的影响
§4.7.1图案化的Au/Si的电化学加工
§4.7.2 ZnO纳米棒在图案化的Au/Si基底的选择性生长
§4.8 ZnO纳米棒阵列的性质
§4.8.1 ZnO纳米棒的光致发光谱(PL)
§4.8.2 ZnO纳米棒的场发射谱(FE)
§4.9本章小结
附注
参考文献
第五章Au纳米粒子边缘密度增强自组装
§5.1.前言
§5.2线条状Au纳米粒子图案的自组装
§5.2.1线条中间区域Au纳米粒子图案的自组装
§5.2.2线条末端区域金纳米粒子图案的自组装
§5.3密度增强机理的研究
§5.3.1溶液体系的影响
§5.3.2表面技术分析
§5.4 Au纳米粒子边缘密度增强自组装理论模型
§5.5 Au纳米粒子自组装的密度调控
§5.5.1浸泡Au溶胶对组装密度的影响
§5.5.2与HNO2接触反应时间对组装密度的影响
§5.6溶液相反应体系与琼脂糖凝胶模板体系的差异
§5.6.1溶液相处理NH2-ITO表面对Au纳米自组装的影响
§5.6.2 HNO2溶液浓度对NH2-ITO作用的影响
§5.7 Au纳米粒子在生长ZnO纳米棒阵列的应用
§5.8本章小结
参考文献
第六章展望
§6.1琼脂糖凝胶模板的应用扩展
§6.2本论文三项工作的扩展
§6.2.1 n-Si(111)上铜微结构的制备的扩展
§6.2.2溶液相法合成图案化ZnO纳米棒阵列扩展
§6.2.3.Au纳米粒子边缘密度增强自组装的应用
参考文献
作者攻读硕士学位期间发表的论文
致谢