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Au纳米粒子自组装体系的数值模拟

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摘要

本文对形成室温单电子现象的典型隧道结结构模型利用WKB方法求解薛定谔方程计算其隧穿电流与偏压的关系.本文利用该方法对Au纳米粒子组装体系在室温下的I-V特性进行了计算机模拟,发现结果与实验符合得很好.该方法对于进一步指导纳米电子器件的实验及其原型化有重要意义.

著录项

来源
《电子器件》 |2000年第1期|7-12|共6页
作者
何红波; 周继承; 胡慧芳; 李义兵;
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作者单位

长沙铁道学院材料研究所,410075;

长沙铁道学院材料研究所,410075;

长沙铁道学院材料研究所,410075;

长沙铁道学院材料研究所,410075;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类制造工艺;
关键词
纳米粒子; 隧穿; WKB;

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