公开/公告号CN101127244B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-09-22
原文格式PDF
申请/专利权人 富士通半导体股份有限公司;
申请/专利号CN200710135773.0
发明设计人 富田浩由;
申请日2007-08-16
分类号G11C29/24(20060101);G11C29/44(20060101);G11C17/18(20060101);
代理机构11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;
代理人赵淑萍
地址 日本神奈川县
入库时间 2022-08-23 09:05:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-31
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C29/24 授权公告日:20100922 终止日期:20190816 申请日:20070816
专利权的终止
2015-06-03
专利权的转移 IPC(主分类):G11C29/24 变更前: 变更后: 登记生效日:20150513 申请日:20070816
专利申请权、专利权的转移
2015-06-03
专利权的转移 IPC(主分类):G11C 29/24 变更前: 变更后: 登记生效日:20150513 申请日:20070816
专利申请权、专利权的转移
2010-09-22
授权
授权
2010-09-22
授权
授权
2008-11-26
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20081024 申请日:20070816
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2008-11-26
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20081024 申请日:20070816
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2008-04-16
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-04-16
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-02-20
公开
公开
2008-02-20
公开
公开
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机译: 包含反熔丝写电压产生电路的半导体存储器件
机译: 包含反熔丝写电压产生电路的半导体存储器件
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