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包含反熔丝写电压生成电路的半导体存储器装置

摘要

一种包含反熔丝写电压生成电路的半导体存储器装置,其能够减小反熔丝写电压生成电路的电路规模。该半导体存储器装置具有用于对外部电源电压升压以生成第一内部电源的第一内部电源生成电路、被提供了第一内部电源的存储器核心、用于写预定信息的反熔丝存储器,以及对第一内部电源升压以生成反熔丝写电压的写电压生成电路。

著录项

  • 公开/公告号CN101127244B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN200710135773.0

  • 发明设计人 富田浩由;

    申请日2007-08-16

  • 分类号G11C29/24(20060101);G11C29/44(20060101);G11C17/18(20060101);

  • 代理机构11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人赵淑萍

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-31

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C29/24 授权公告日:20100922 终止日期:20190816 申请日:20070816

    专利权的终止

  • 2015-06-03

    专利权的转移 IPC(主分类):G11C29/24 变更前: 变更后: 登记生效日:20150513 申请日:20070816

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-06-03

    专利权的转移 IPC(主分类):G11C 29/24 变更前: 变更后: 登记生效日:20150513 申请日:20070816

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-09-22

    授权

    授权

  • 2010-09-22

    授权

    授权

  • 2008-11-26

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20081024 申请日:20070816

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

  • 2008-11-26

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20081024 申请日:20070816

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

  • 2008-04-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-04-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-02-20

    公开

    公开

  • 2008-02-20

    公开

    公开

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