修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法及栅极的制造方法

摘要

一种修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法，包括：提供具有多晶硅栅极的半导体衬底；对所述栅极执行原位生成水蒸气氧化工艺，在所述栅极侧壁形成氧化层。本发明还提供栅极的制造方法。本发明方法工艺简单，并能够避免在修复栅极侧壁刻蚀损伤时对栅氧化层的影响。