公开/公告号CN107437500B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-09
原文格式PDF
申请/专利权人 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司;
申请/专利号CN201610361902.7
发明设计人 马万里;
申请日2016-05-26
分类号H01L21/28(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/49(20060101);
代理机构11243 北京银龙知识产权代理有限公司;
代理人许静;安利霞
地址 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室
入库时间 2022-08-23 11:38:44
机译: 一种在薄栅极氧化物上使用多晶硅的相同蚀刻工艺制造多晶硅发射极和多晶硅栅极的方法
机译: 一种通过同时在薄栅极氧化物上蚀刻多晶硅来制造多晶硅发射极和多晶硅栅极的方法。
机译: 一种在薄栅极氧化物上使用多晶硅的相同蚀刻工艺制造多晶硅发射极和多晶硅栅极的方法