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使用等离子CVD法形成的化学蒸镀膜及其形成方法

摘要

蒸镀膜的形成方法,该方法是通过将待处理的基材保持在等离子处理室内,向该处理室内供给有机硅化合物和氧化性气体以进行化学等离子处理来在基材表面上形成由硅氧化物构成的蒸镀膜,在该方法中,通过将等离子处理室内的有机硅化合物气体的供给量维持恒定,并在制备蒸镀膜的制膜过程中使氧化性气体的供给量发生变化,即可获得密合性、柔软性、挠性、氧隔离性和水分隔离性均优良的化学蒸镀膜。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C16/40 授权公告日:20100908 终止日期:20190323 申请日:20040323

    专利权的终止

  • 2010-09-08

    授权

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  • 2010-09-08

    授权

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  • 2006-08-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-08-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-06-28

    公开

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  • 2006-06-28

    公开

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