半导体器件中的有效载流子注入

摘要

本发明公开了一种诸如VCSEL、SEL、LED和HBT的半导体器件，制造该器件以具有接近窄能带隙材料的宽能带隙材料。通过位于宽能带隙材料和窄能带隙材料之间的中间结构而改善电子注入。中间结构为变形区，诸如在宽能带隙材料和窄能带隙材料之间的成分变化中的平台。该中间结构被重掺杂并具有所需低电子亲和力的成分。注入结构可在具有高空穴亲和力的p掺杂中间结构的器件的p侧上使用。