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公开/公告号CN112865725B
专利类型发明专利
公开/公告日2024.11.26
原文格式PDF
申请/专利权人 中电国基南方集团有限公司;
申请/专利号CN202110042377.3
发明设计人 张巍;陶洪琪;吴瑞南;凌显宝;余旭明;
申请日2021.01.13
分类号H03F3/20;
代理机构南京经纬专利商标代理有限公司;
代理人刘莎
地址 211153 江苏省南京市江宁区正方中路166号
入库时间 2024-12-26 18:01:19
机译: 功率放大器具有一个由单片集成的单片极构成的低频电路,该电路用于确定增益和抑制扇区
机译: 一种单片半导体器件的制造方法,该单片半导体器件包括集成控制电路中的至少一个晶体管和集成在同一芯片上的一个功率晶体管
机译:Ka波段150 nm GaAs pHEMT功率放大器单片微波集成电路,具有新颖设计的输出功率组合网络
机译:超宽带20.5-31 GHz单片集成CMOS功率放大器
机译:适用于宽带单片毫米波集成功率放大器电路的效率优化的分布式变压器
机译:基于单片微波集成电路的X波段功率放大器模块的开发
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:集成了串联二极管线性化器的超声波功率放大器对HeLa细胞增殖的抑制技术
机译:大功率半导体主振荡器功率放大器的单片集成
机译:单片微波集成电路(mmIC)宽带功率放大器(第2部分)。