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结晶性被控制的氧化镁单晶及其制造方法以及使用该单晶的基板

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一种结晶性被控制的氧化镁单晶以及使用该单晶的基板，该结晶性被控制的氧化镁单晶具有亚晶界，并且同一亚晶界中的利用倒易点阵图测定所得到的衍射线位置的变动幅度为：Δω座标的变动幅度为1×10

著录项

公开/公告号CN101094940B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-05-26

原文格式PDF
申请/专利权人达泰豪化学工业株式会社;
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申请/专利号CN200580045352.8
发明设计人东塚淳生;川口祥史;国重正明;
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申请日2005-12-28
分类号
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所;
代理人刘新宇
地址日本兵库县
入库时间 2022-08-23 09:04:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-05-26

授权

授权
2008-02-20

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-12-26

公开

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1. 结晶性被控制的氧化镁单晶及其制造方法以及使用该单晶的基板 [P] . 中国专利： CN101094940B . 2010.05.26
2. 具有A1系Ⅲ族氮化物单晶层的层叠体的制造方法、通过该制法制得的层叠体、使用该层叠体的A1系Ⅲ族氮化物单晶基板的制造方法及氮化铝单晶基板 [P] . 中国专利： CN101918624A . 2010-12-15
3. Substrate using the single crystal manufacturing method thereof, and crystallinity control magnesium oxide single crystal [P] . 日本专利： JP4686181B2 . 2011-05-18

机译：使用其单晶制造方法的基板以及结晶度控制氧化镁单晶
4. Magnesium Oxide Single Crystal Having Controlled Crystallinity and Method for Producing the Same, and Substrate Using the Single Crystal [P] . 美国专利： US2008081767A1 . 2008-04-03

机译：具有控制结晶度的氧化镁单晶及其制造方法，以及使用该单晶的基板
5. Method of manufacturing a laminate having an aluminum nitride single crystal layer, the laminate produced by the formulation process, the manufacturing method of an aluminum nitride single crystal substrate using the laminated body, and the aluminum nitride single crystal substrate [P] . 日本专利： JP4707755B2 . 2011-06-22

机译：具有氮化铝单晶层的层叠体的制造方法，通过配制工序制造的层叠体，使用该层叠体的氮化铝单晶基板的制造方法以及氮化铝单晶基板

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