提高氮化镓基LED抗静电能力的方法及氮化镓基LED结构

摘要

本发明公开了一种提高氮化镓基LED抗静电能力的方法，其通过在原有的氮化镓基LED结构的n型导电氮化镓层与多层量子阱之间，依次淀积一第二层未掺杂氮化镓层，一第二层n型导电氮化镓层，使在原有的氮化镓基LED结构中增加了一电容，从而提高了该氮化镓基LED的抗静电能力。本发明还公开了一种氮化镓基LED结构，其抗静电能力强。本发明可以广泛用于半导体LED的制备中。