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公开/公告号CN1862725B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-05-12
原文格式PDF
申请/专利权人 南京航空航天大学;
申请/专利号CN200610085359.9
发明设计人 曲宁松;朱荻;
申请日2006-06-12
分类号
代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人阙如生
地址 210016 江苏省南京市白下区御道街29号
入库时间 2022-08-23 09:04:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-05-12
授权
2007-01-10
实质审查的生效
2006-11-15
公开
机译: 使用电化学沉积来制造半导体器件的方法和半导体制造设备,其中该电化学沉积具有通过每个基板表面的反射率进行修正的电流来进行电化学沉积
机译: 使用电化学沉积制造半导体器件的方法和半导体制造设备,其中电化学沉积具有通过每个基板表面的反射率修正的电流
机译: 电化学沉积系统和使用该方法的电化学沉积方法
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机译:用银溅射沉积制造表面增强拉曼光谱(SERS) - 电化学沉积电化学沉积分析
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