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Method of manufacturing semiconductor device using electrochemical deposition with electric current revised by reflectance of every substrate surface and semiconductor manufacturing apparatus

机译:使用电化学沉积制造半导体器件的方法和半导体制造设备,其中电化学沉积具有通过每个基板表面的反射率修正的电流

摘要

A method of manufacturing a semiconductor device includes measuring the reflectance at the surface of a semiconductor substrate provided with concave portions and deciding a deposition parameter that represents a deposition condition corresponding to the measured reflectance. Then, a metal film is formed on the semiconductor substrate under a condition corresponding to the deposition parameter.
机译:制造半导体器件的方法包括:测量设置有凹部的半导体基板的表面处的反射率;以及确定代表与所测量的反射率相对应的沉积条件的沉积参数。然后,在与沉积参数相对应的条件下,在半导体基板上形成金属膜。

著录项

  • 公开/公告号US2008206899A1

    专利类型

  • 公开/公告日2008-08-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AKIRA FURUYA;

    申请/专利号US20080068816

  • 发明设计人 AKIRA FURUYA;

    申请日2008-02-12

  • 分类号H01L21/66;B05C11/10;C25D17/00;C25D7/12;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 20:15:03

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