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MOS晶体管电路、半导体集成电路和CMOS电路

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摘要

提供一种具有操作速度补偿功能的金属氧化物半导体(MOS)晶体管电路。通过响应于电源的波动而动态地改变MOS晶体管(P1)的基底偏压来补偿MOS晶体管(P1)的电流性能的降低，因此自动稳定操作速度。NMOS晶体管(N2)产生响应于电源电压的波动程度而改变的电流(I2)，然后所述电流(I2)经由电阻器(R3)被转换为电压以向MOS晶体管(P1)的基底(后栅极)施加正向偏压。当由于电源电压的降低而降低MOS晶体管(P1)的电流性能时，自动执行调整以降低MOS晶体管的门限电压，因此可以补偿操作速度。

著录项

公开/公告号CN100590871C

专利类型发明授权
公开/公告日2010-02-17

原文格式PDF
申请/专利权人松下电器产业株式会社;
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申请/专利号CN200510120416.8
发明设计人堤正范;
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申请日2005-11-10
分类号H01L27/02(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人黄小临;王志森
地址日本大阪府
入库时间 2022-08-23 09:04:19

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-12-25

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/092 授权公告日:20100217 终止日期:20121110 申请日:20051110

专利权的终止
2010-02-17

授权

授权
2006-07-12

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-05-17

公开

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