低电阻率钌层的低温化学气相沉积

摘要

提供了一种用于沉积低电阻率钌金属层(440、460)的低温化学气相沉积工艺，这种低电阻率钌金属层(440、460)可以在Cu金属化方案中用作阻挡/晶种层。该方法(300)包括在沉积系统(1、100)的处理室(10、110)中提供衬底(25、125)，形成包含羰基钌前驱体蒸汽和含CO气体的处理气体，以及将衬底(25、125)暴露于处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125)上沉积低电阻率钌金属层(440、460)，其中衬底(25、125)在所述暴露期间被维持在约100℃和约300℃之间的温度。还提供了包含钌金属层(440、460)的半导体器件，钌金属层(440、460)形成在包含一个或多个过孔或沟槽(430)或其组合的图案化衬底(402、404、406、408)上。