下降法生长大尺寸碘化铯(CsI)晶体新技术

摘要

本发明关于坩埚下降法生长优质碘化铯晶体，属于晶体生长领域。用通常石英坩埚下降法生长大尺寸CsI晶体的主要问题是石英坩埚容易开裂，晶体应力大，多晶严重，容易开裂，性能也差。本发明的核心是减少大尺寸晶体应力及定向生长，主要技术包括正确选用铂坩埚，选好晶体生长方向及包种接种技术，有一整套减少生长缺陷和I-空位的措施。完整的工业化生长大尺寸CsI晶体的工艺技术。按本发明生长出来的大尺寸纯CsI晶体能量分辨率与光产额高。