非真空下降法多坩埚生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术

摘要

本发明为改进后的非真空下降法生长大尺寸掺铊碘化铯晶体，属于碘化铯晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服CsI(T1)晶体生长中内应力问题以及适合工业化生产。T1的掺杂量每百无CsI为400～800ppm，脱氧剂加入量每百克CsI为10-500ppm，使用铂坩埚生长，坩埚的形状和大小随生长晶体而异，可同炉生长5-20根晶体。脱氧反应温度为高于熔点50-200℃，反应时间6-8小时。引下装置中冷却棒用通水冷却以便调节结晶潜热和控制固-液界面。