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用于光刻装置的掩模对准标记及对准方法

摘要

本发明公开了一种掩模对准标记及对准方法。该掩模对准标记的部分结构与其它部分不一致,通常较长,能够提高标记分支进行对准扫描的捕获能力,提高粗扫描的成功率,能够提高对准扫描生成的对准信息的对比度,也提高对准处理过程中所采用信息的信噪比,从而提高掩模对准的精度。通过径向粗精扫描和切向旋转粗精扫描相结合生成莫尔条纹信息的方法,提高对准扫描的效率;通过相互垂直的两个方向上进行沿近似垂直于所用对准标记分支中光栅方向的粗精扫描相结合生成莫尔条纹信息的方法,提高对准扫描的效率。

著录项

  • 公开/公告号CN100587603C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2010-02-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海微电子装备有限公司;

    申请/专利号CN200710045037.6

  • 发明设计人 李焕炀;陈勇辉;宋海军;

    申请日2007-08-20

  • 分类号G03F7/20(20060101);G03F9/00(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市张江高科技园区张东路1525号

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-23

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G03F 7/20 变更前: 变更后: 申请日:20070820

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2010-02-03

    授权

    授权

  • 2008-05-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-03-12

    公开

    公开

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