金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺

摘要

一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺，包括对栅极氧化层区表面的清洗，用以获得良好的表面特性；生成栅极氧化层；覆盖光致抗蚀层；曝光与显影，用以形成栅极氧化层；离子注入，用以调整该金属-氧化物-半导体场效应晶体管的电参数；去除光致抗蚀层；清洗该栅极氧化层；去离子水旋转擦洗活化；以及高温退火等步骤；它可以大幅度提高栅极氧化层的电性能测试合格率。