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半导体激光器、半导体激光器阵列以及半导体激光器的制造方法

摘要

本发明提供集成有监视光输出的光电二极管部的半导体激光器。半导体激光器(100)具备:DFB部,其层叠有背面侧第一包覆层(3)、第一衍射光栅层(9)、由第一MQW结构构成并发出激光的发光层(1)、表面侧第一包覆层(6)、以及第一接触层(12);DBR部,其层叠有电阻率比背面侧第一包覆层(3)高的背面侧第二包覆层(4)、将激光的一部分向DFB部反射的第二衍射光栅层(10)、对激光的剩余部分进行导波并且由有效带隙能量比第一MQW结构小的第二MQW结构构成的第一芯层(2a)、以及电阻率比表面侧第一包覆层(6)高的表面侧第二包覆层(7);以及PD部,其层叠有背面侧第三包覆层(5)、对第一芯层(2a)所导波的激光的剩余部分进行吸收的由第二MQW结构构成的第二芯层(2b)、表面侧第三包覆层(8)以及第二接触层(14)。

著录项

  • 公开/公告号CN112714986B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023.07.07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱电机株式会社;

    申请/专利号CN201880097717.9

  • 发明设计人 外间洋平;铃木洋介;

    申请日2018.09.26

  • 分类号H01S5/12(2021.01);H01S5/026(2006.01);H01S5/125(2006.01);

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司 11227;北京集佳知识产权代理有限公司 11227;

  • 代理人李洋;王培超

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-08-03 18:37:12

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