小发散角半导体激光器线阵列的制备

摘要

利用隧道再生结构，通过合理设计波导结构，制备了横向微堆积三有源区强耦合半导体激光器线阵列，实现了强耦合下的基模激射，垂直方向发散角为23°，与传统半导体激光器线阵的垂直方向发散角相比，有了比较明显的改善。